为 AI 伺服器、资料中心输出高功率与高密度应用，带来更高效率解决散热方案
uPI Semiconductor Corp. 宣布推出全新一代 uP1969 与 uP1970 MV E-Mode GaN FET 双通道闸极驱动器，支援高达 100V（uP1969）与 120V（uP1970） 的电压范围，专为高阶 AI 伺服器、资料中心机架的48/54V 系统电压，进行更高效能/高密度电源转换、应用在 KW 级别电源供给设计。uP1969 与 uP1970 设计用于驱动半桥或同步降压配置中的高侧和低侧增强型氮化镓 (GaN) 场效电晶体 (FET)。采用先进的高低侧 GaN FET 控制技术，具备二个独立 PWM HI/LI 输入，用于独立控制高侧和低侧驱动讯号（可调式死区时间），以及支援高达 3MHz 开关频率，可有效提高切换速度，因而降低开关损秏提高转换效率。此外，内建 VCC 电源输入欠压锁定保护功能（UVLO）与防止 bootstrap 过充设计，确保 GaN FET 的工作电压安全不超限，uP1969 和uP1970 提供三种封装：WLCSP1.6×1.6-12B、VQFN3x3-14L（倒装制程）和 UQFN2x2-12L（倒装制程），可满足目前市面上大部份的主流方案。
主要功能
- 支持半桥/同步降压架构的高/低压侧 GaN FET 栅极驱动器
- 工作电压：100 伏（uP1969）/ 120 伏（uP1970）
- 分路输出，可调节开启/关闭驱动强度
- 高速开关性能：高达 3MHz
- 超低导通电阻：下拉 0.4Ω(uP1969)、0.2Ω(uP1970)
- 快速传播延迟（典型值：20ns），出色的延迟匹配（1.5ns）
- 电源电压范围4.5V-5.5V
- 多种封装选项：WLCSP1.6×1.6-12B、VQFN3x3-14L、UQFN2x2-12L
目标应用：
- AI 伺服器与高效能运算（HPC）电源模组（1/4 & 1/8 Brick）
- AI 资料中心备援电池系统（BBU）
- 高功率密度马达驱动（机器人应用）
- 大功率/长距离无线充电系统
- 半桥与全桥 DC-DC 转换器
- 高输入电压电源转换模组
uPI 表示：
「伴随着 AI 与高效能运算的高速发展，市场对于 GaN 解决方案之高功率/高密度/高效率等需求日益提升。uP1969 与 uP1970 的推出，将协助客户在 AI 伺服器、资料中心与机器人马达驱动应用中实现更高效能与更佳的功率密度设计。」