MOSFET
高壓 Power MOSFET >200V
高壓 Power MOSFET >200V
| wdt_ID | Part Number | Package Type | Configuration | MOSFET Type | VDS (V) | VGS (V) | Vth max. (V) | RDS(ON) (mΩ)max. at VGS 10V | RDS(ON) (mΩ)max. at VGS 4.5V | RDS(ON) (mΩ)max. at VGS 2.5V | RDS(ON) (mΩ)max. at VGS 1.8V | Ciss (pF) | Coss (pF) | Crss (pF) | Qg (nC) | Qgs (nC) | Qgd (nC) | ID (A) Tc=25℃ | ID (A) Tc=100℃ | ID (A) TA=25℃ | ID (A) TA=70℃ | EAS.max(mj) | PD(W) Tc=25℃ | PD (W) TA=25℃ | PD (W) TA=70℃ | ESD Diode | Schottky Diode |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 86 | QM3016D |
TO252 | Single | N | 30 | ±20 | 2.5 | 4 | 6 | 3075 | 400 | 315 | 31.6 | 8.6 | 11.7 | 96 | 68 | 19 | 16 | 317 | 62.5 | 2.42 | No | No | |||
| Package Type | Configuration | MOSFET Type | VDS (V) | VGS (V) | Vth max. (V) | RDS(ON) (mΩ)max. at VGS 10V | RDS(ON) (mΩ)max. at VGS 4.5V | RDS(ON) (mΩ)max. at VGS 2.5V | RDS(ON) (mΩ)max. at VGS 1.8V | Ciss (pF) | Coss (pF) | Crss (pF) | Qg (nC) | Qgs (nC) | Qgd (nC) | ID (A) Tc=25℃ | ID (A) Tc=100℃ | ID (A) TA=25℃ | ID (A) TA=70℃ | EAS.max(mj) | PD(W) Tc=25℃ | PD (W) TA=25℃ | PD (W) TA=70℃ | ESD Diode | Schottky Diode |