电源管理 IC

整合功率级模组块

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智慧型功率级模块

在先進封裝技術的推動下,業界領先的 MOSFET 與智慧閘極驅動器的整合產生了全面且高品質的功率級產品組合。該產品組合適用於各種應用,包括伺服器、儲存、資料通訊、電信和消費性設備,因為它為 CPU、GPU、SoC、ASIC 和記憶體軌提供動力。

uPI 的功率级产品群组峰值电流范围高达120 A,采用多种封装。这些功率级提供出色的功率转换效率和热性能,可实现最佳功率密度和快速保护功能,从而在终端系统的整个生命周期内实现可靠和稳健的运行。

精确的输出电流和温度遥测还有助于显著提高系统智慧和处理器性能。

智慧功率级模块

高性能运算方案

高性能运算

用于显卡、主机板、笔记型电脑、伺服器、数据中心、AI 及电信应用的 DC/DC 电源转换方案

电源密度大幅增长

ASIC、CPU、GPU 电源密度大幅增长

  • DPWM 控制器开发,以满足更高相数的操作需求。
  • 更高功率密度功率级开发 MCM/Monolithic
驱动密度和功率要求

处理能力呈指数级增长

什么是智慧功率级模块?

功率级模组重点

TDC 和高负载时的高效率。

高精度系统报告。
电流 │ 温度
安全智慧防护功能和通信
OCP │ OTP │ UVLO │ HMSP │ Pre-OVP

错误通报

散热

坚固的设计

最小化 BOM 和空间

智慧功率级模块分类

功率级模组趋势 MCM 与 Monolithic

VCORE 的典型 VR 解决方案

PWM : 以半桥配置驱动功率 MOSFET 的输入信号。

IOUT : 输出信号传达 VR 看到的负载

TOUT : 输出信号在多相配置中传达最高温度,并在 SPS 发生故障时向 VR 报告

智慧功率级模块 – 分类

电源密度大幅增长

用户端运算

高性能运算

企业伺服器

Monolithic 形式将成为用户端的主流

  • 较低的 TDC,但 CPU 瞬态性能的峰值电流较高。
  • IMON 精准度 (+/ 3%)
  • 用于成本最佳化的更小封装(BOM和空间)
  • Monolithic 主要常见封装尺寸 : 3×4 / 3×5 / 4×5 / 4×6 / 5×6

MCM 主要将用于 HPS / AI / Server

  • 高功率密度(高 TDC 和峰值电流)
  • 高 IMON 精准度 (+/ 2%)
  • 高可靠度
  • TLVR 支援与电感配对
  • MCM 主要常用封装尺寸:3×4 / 4×6 / 5×6

VR 设计注意事项

传统 VR 的局限性

TLVR 的未来

Z

Eff & Transient

  • 瞬态性能主要由 Lc 决定。
  • TL 一次侧自感可以相对较大,以保持高效率。
3
Z

花费

  • 无需添加过多的输出电容来平衡效率和瞬态。
3
Z

好处

  • TLVR 提高了瞬态和效率性能,同时将电容器成本降低了 70%。